Detail Cantuman
Pencarian Spesifik
Artikel
The influence of hydrogen plasma and annealing on GaN film grown by plasma-assisted MOCVD.
Tidak Tersedia Deskripsi
Ketersediaan
Tidak ada salinan data
Informasi Detail
| Judul Seri |
-
|
|---|---|
| No. Panggil |
-
|
| Penerbit | IEEE : New York., 2000 |
| Deskripsi Fisik |
-
|
| Bahasa | |
| ISBN/ISSN |
-
|
| Klasifikasi |
-
|
| Tipe Isi |
-
|
| Tipe Media |
-
|
|---|---|
| Tipe Pembawa |
-
|
| Edisi |
-
|
| Subjek |
-
|
| Info Detail Spesifik |
-
|
| Pernyataan Tanggungjawab |
-
|
Versi lain/terkait
Tidak tersedia versi lain